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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED外加片生產机构,因生產阶段中动用砷化镓、磷化工作铟等III-V族氧化物,废水面含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,装修设计工作总量1200吨/日。 废水处理方法成份及來源 MOCVD仪器难以清理废污水 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等有机的废金属单质 激光切割抛光化工废水 :含纳米技术级塑料粒子 镀膜废水处理工艺 :含铜、镍等合金金属铝离子 净化处理工艺技术过程 科学创新进行"钝化破络+巨资属收集+膜转移"搭配加工: 预整理摸块 :加药氢氧化钙吸附设计金屬络合物 层面加工单元尺寸 : 采用DTCR高价属气体吸附剂演变成不溶解性螯合物 反渗透装置体统(UF)挤占大团伙环境有机废气 反进行渗透(RO)脱盐率>98% 污泥干化清理单元尺寸 :离心式脱水情况后全权负责垃圾加工主加工 进而效用 经第三步方判断: 总砷含锌量:0.05mg/L(国家标准下载0.5mg/L) 镉含碳量:0.01mg/L(国家标准0.1mg/L) 水回收利用率:75% 开机运行代价:3.8元/吨水

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